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科研中的“她”力量:深耕硅基光电子领域 助力打造中国“芯”

刘思旸正在进行实验检测。新华网 郭雨嫣 摄

  新华网重庆3月8日电(郭雨嫣)在西部(重庆)科学城西永微电园联合微电子中心,有这样一群人,她们致力于解决国家微电子行业及其未来产业高端发展需求,走超越摩尔定律的技术路线,打造集硅基光电子、异质异构三维集成、锗硅射频等工艺、技术和产品为一体的光电融合高端特色工艺平台。

  近几年,我国逐渐重视集成电路半导体行业。其中硅基光电子技术被广为提及,从概念到产品,发展速度让人惊叹,然而机遇与挑战并存,由于产业与技术的局限,未知和不确定性,对于硅光从业者来说并没有想象中那么容易。

  “面对信息化时代对数据通信速率、功耗和体量的更高要求,光进铜退成为超越摩尔定律的有力手段,硅基光电子技术采用与传统集成电路工艺兼容的技术和方法打造未来的大规模光电集成芯片。”联合微电子中心硅光芯片构架开发师刘思旸说。

  遇山开山,遇水架桥,在刘思旸的团队,解决问题永远是第一顺位。“理工科是一门偏内向型的学科,静得下心,沉得住气,在不断的探索与思考中找到问题的答案。硅光技术开发需要设计与工艺的高度协同,芯片的整体架构设计需综合考虑工艺能力、封装难度、产品可靠性等多方面因素,在整个过程中我们对设计方案进行反复修改与调试,经过多次的测试迭代才能达成最终目标性能。”刘思旸说。

  2020年5月,联合微电子中心发布“180nm成套硅光工艺PDK”,标志着公司具备硅基光电子领域全流程自主工艺制造能力,开始向全球提供硅光芯片流片服务和EPDA设计服务。

  未来,刘思旸将带领团队继续为半导体芯片事业注入科研力量,创造核心价值,在高端特色技术领域助国家弯道超车抢占先机,以科技之火,燃时代之光,打造中国“芯”力量。

编辑: 张青
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